STMicroelectronics - STB21NM60N-1

KEY Part #: K6415656

[12335ədəd Stok]


    Hissə nömrəsi:
    STB21NM60N-1
    İstehsalçı:
    STMicroelectronics
    Ətraflı Təsviri:
    MOSFET N-CH 600V 17A I2PAK.
    Manufacturer's standard lead time:
    Anbarda
    Raf ömrü:
    Bir il
    Chip From:
    Honq Konq
    RoHS:
    Ödəniş üsulu:
    Göndərmə yolu:
    Ailə Kateqoriyalarları:
    KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - IGBTs - Subay, Diodlar - Zener - Subay, Transistorlar - IGBTs - Modullar, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Güc Sürücü Modulları, Diodlar - RF, Diodlar - Zener - Diziler and Diodlar - Düzəldicilər - Tək ...
    Rəqabətli üstünlük:
    STMicroelectronics STB21NM60N-1 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. STB21NM60N-1 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. STB21NM60N-1 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    STB21NM60N-1 Məhsul keyfiyyətləri

    Hissə nömrəsi : STB21NM60N-1
    İstehsalçı : STMicroelectronics
    Təsvir : MOSFET N-CH 600V 17A I2PAK
    Seriya : MDmesh™
    Hissə Vəziyyəti : Obsolete
    FET növü : N-Channel
    Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
    Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 600V
    Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 17A (Tc)
    Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 220 mOhm @ 8.5A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
    Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 66nC @ 10V
    Vgs (Maks) : ±25V
    Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 1900pF @ 50V
    FET Feature : -
    Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 140W (Tc)
    Əməliyyat temperaturu : 150°C (TJ)
    Montaj növü : Through Hole
    Təchizatçı cihaz paketi : I2PAK
    Paket / Case : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA