İstehsalçı :
Microsemi Corporation
Təsvir :
DIODE GEN PURP 35V 200MA DO35
Gərginlik - DC tərs (Vr) (Maks) :
35V
Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) :
200mA
Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər :
1V @ 30mA
Sürət :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Geri Bərpa Vaxtı (trr) :
2ns
Cari - Tərs Sızma @ Vr :
100nA @ 25V
Kapasitans @ Vr, F :
4pF @ 4V, 1MHz
Montaj növü :
Through Hole
Paket / Case :
DO-204AH, DO-35, Axial
Təchizatçı cihaz paketi :
DO-35
Əməliyyat temperaturu - qovşaq :
-65°C ~ 150°C