Hissə nömrəsi :
DTC643TUT106
İstehsalçı :
Rohm Semiconductor
Təsvir :
TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
Transistor tipi :
NPN - Pre-Biased
Cari - Kolleksiyaçı (Ic) (Max) :
600mA
Gərginlik - Kolleksiyaçı Emitter Qırılması (Maks) :
20V
Rezistor - Baza (R1) :
4.7 kOhms
Rezistor - Emitter bazası (R2) :
-
DC cari qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
820 @ 50mA, 5V
Vce Doyma (Maksimum) @ Ib, Ic :
150mV @ 2.5mA, 50mA
Cari - Kolleksiyaçı Kəsimi (Maks) :
500nA (ICBO)
Montaj növü :
Surface Mount
Paket / Case :
SC-70, SOT-323
Təchizatçı cihaz paketi :
UMT3