Hissə nömrəsi :
GI752-E3/54
İstehsalçı :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Təsvir :
DIODE GEN PURP 200V 6A P600
Gərginlik - DC tərs (Vr) (Maks) :
200V
Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) :
6A
Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər :
900mV @ 6A
Sürət :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Geri Bərpa Vaxtı (trr) :
2.5µs
Cari - Tərs Sızma @ Vr :
5µA @ 200V
Kapasitans @ Vr, F :
150pF @ 4V, 1MHz
Montaj növü :
Through Hole
Paket / Case :
P600, Axial
Təchizatçı cihaz paketi :
P600
Əməliyyat temperaturu - qovşaq :
-50°C ~ 150°C