Infineon Technologies - SPB20N60C3ATMA1

KEY Part #: K6417564

SPB20N60C3ATMA1 Qiymətləndirmə (USD) [34155ədəd Stok]

  • 1 pcs$1.20669

Hissə nömrəsi:
SPB20N60C3ATMA1
İstehsalçı:
Infineon Technologies
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 650V 20.7A D2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Transistorlar - FET, MOSFETlər - Tək, Transistorlar - JFETlər, Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar, Transistorlar - FETTlər, MOSFETlər - seriallar, Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF, Güc Sürücü Modulları and Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Qeyri-qərəzl ...
Rəqabətli üstünlük:
Infineon Technologies SPB20N60C3ATMA1 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. SPB20N60C3ATMA1 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. SPB20N60C3ATMA1 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SPB20N60C3ATMA1 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : SPB20N60C3ATMA1
İstehsalçı : Infineon Technologies
Təsvir : MOSFET N-CH 650V 20.7A D2PAK
Seriya : CoolMOS™
Hissə Vəziyyəti : Not For New Designs
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 650V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 20.7A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 13.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 1mA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 114nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 2400pF @ 25V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 208W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : PG-TO263-3-2
Paket / Case : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB