Microsemi Corporation - JAN1N4466DUS

KEY Part #: K6479734

JAN1N4466DUS Qiymətləndirmə (USD) [3071ədəd Stok]

  • 1 pcs$14.10044
  • 100 pcs$13.48736

Hissə nömrəsi:
JAN1N4466DUS
İstehsalçı:
Microsemi Corporation
Ətraflı Təsviri:
DIODE ZENER 11V 1.5W D-5A.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Diodlar - Dəyişən Kapasitans (Varikaplar, Varaktor, Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik, Transistorlar - IGBTs - Subay, Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF, Transistorlar - FET, MOSFETlər - Tək, Transistorlar - JFETlər, Tiristorlar - SCR - Modullar and Transistorlar - Bipolyar (BJT) - RF ...
Rəqabətli üstünlük:
Microsemi Corporation JAN1N4466DUS elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. JAN1N4466DUS sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. JAN1N4466DUS üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N4466DUS Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : JAN1N4466DUS
İstehsalçı : Microsemi Corporation
Təsvir : DIODE ZENER 11V 1.5W D-5A
Seriya : Military, MIL-PRF-19500/406
Hissə Vəziyyəti : Active
Gərginlik - Zener (Nom) (Vz) : 11V
Dözümlülük : ±1%
Gücü - Maks : 1.5W
Empedans (Maks) (Zzt) : 6 Ohms
Cari - Tərs Sızma @ Vr : 300nA @ 8.8V
Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər : 1V @ 200mA
Əməliyyat temperaturu : -65°C ~ 175°C
Montaj növü : Surface Mount
Paket / Case : SQ-MELF, A
Təchizatçı cihaz paketi : D-5A

Maraqlı ola bilərsiniz
  • BAW156E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • MMBD1705A

    ON Semiconductor

    DIODE ARRAY GP 30V 50MA SOT23-3.

  • SMBD7000E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 100V 0.2A

  • 1SS181,LF

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Spd Switch Diode 0.1A 80V VR

  • BAV170E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode Array

  • BAV70E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 200mA