Hissə nömrəsi :
SIHP33N60E-GE3
İstehsalçı :
Vishay Siliconix
Təsvir :
MOSFET N-CH 600V 33A TO-220AB
Texnologiya :
MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) :
600V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C :
33A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
99 mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs :
150nC @ 10V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds :
3508pF @ 100V
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) :
278W (Tc)
Əməliyyat temperaturu :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü :
Through Hole
Təchizatçı cihaz paketi :
TO-220AB