Microsemi Corporation - JAN1N4464CUS

KEY Part #: K6479713

JAN1N4464CUS Qiymətləndirmə (USD) [3839ədəd Stok]

  • 1 pcs$11.28034
  • 100 pcs$10.78989

Hissə nömrəsi:
JAN1N4464CUS
İstehsalçı:
Microsemi Corporation
Ətraflı Təsviri:
DIODE ZENER 9.1V 1.5W D-5A. Zener Diodes Zener Diodes
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Diodlar - Dəyişən Kapasitans (Varikaplar, Varaktor, Transistorlar - FETTlər, MOSFETlər - seriallar, Tiristorlar - TRIACs, Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Seriallar, Qeyri-, Diodlar - Zener - Diziler, Transistorlar - IGBTs - seriallar and Diodlar - RF ...
Rəqabətli üstünlük:
Microsemi Corporation JAN1N4464CUS elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. JAN1N4464CUS sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. JAN1N4464CUS üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N4464CUS Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : JAN1N4464CUS
İstehsalçı : Microsemi Corporation
Təsvir : DIODE ZENER 9.1V 1.5W D-5A
Seriya : Military, MIL-PRF-19500/406
Hissə Vəziyyəti : Active
Gərginlik - Zener (Nom) (Vz) : 9.1V
Dözümlülük : ±2%
Gücü - Maks : 1.5W
Empedans (Maks) (Zzt) : 4 Ohms
Cari - Tərs Sızma @ Vr : 300nA @ 5.46V
Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər : 1V @ 200mA
Əməliyyat temperaturu : -65°C ~ 175°C
Montaj növü : Surface Mount
Paket / Case : SQ-MELF, A
Təchizatçı cihaz paketi : D-5A

Maraqlı ola bilərsiniz
  • BAW156E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • MMBD1705A

    ON Semiconductor

    DIODE ARRAY GP 30V 50MA SOT23-3.

  • SMBD7000E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 100V 0.2A

  • 1SS181,LF

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Spd Switch Diode 0.1A 80V VR

  • BAV170E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode Array

  • BAV70E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 200mA