İstehsalçı :
Microsemi Corporation
Təsvir :
DIODE GEN PURP 50V 300MA DO213AA
Gərginlik - DC tərs (Vr) (Maks) :
50V
Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) :
300mA
Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər :
680mV @ 10mA
Sürət :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Geri Bərpa Vaxtı (trr) :
4ns
Cari - Tərs Sızma @ Vr :
100nA @ 50V
Kapasitans @ Vr, F :
2.5pF @ 0V, 1MHz
Montaj növü :
Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi :
DO-213AA
Əməliyyat temperaturu - qovşaq :
-65°C ~ 175°C