Infineon Technologies - IPI530N15N3GXKSA1

KEY Part #: K6419123

IPI530N15N3GXKSA1 Qiymətləndirmə (USD) [92680ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.42189
  • 500 pcs$0.38702

Hissə nömrəsi:
IPI530N15N3GXKSA1
İstehsalçı:
Infineon Technologies
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 150V 21A TO262-3.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Diodlar - Zener - Diziler, Transistorlar - Xüsusi Məqsəd, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Seriallar, Qeyri-, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - RF, Transistorlar - JFETlər, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar, Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar and Diodlar - Körpü Düzəldicilər ...
Rəqabətli üstünlük:
Infineon Technologies IPI530N15N3GXKSA1 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. IPI530N15N3GXKSA1 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. IPI530N15N3GXKSA1 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPI530N15N3GXKSA1 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : IPI530N15N3GXKSA1
İstehsalçı : Infineon Technologies
Təsvir : MOSFET N-CH 150V 21A TO262-3
Seriya : OptiMOS™
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 150V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 21A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 53 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 35µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 887pF @ 75V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 68W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaj növü : Through Hole
Təchizatçı cihaz paketi : PG-TO262-3
Paket / Case : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA