Infineon Technologies - IPP052N06L3GHKSA1

KEY Part #: K6402305

[2750ədəd Stok]


    Hissə nömrəsi:
    IPP052N06L3GHKSA1
    İstehsalçı:
    Infineon Technologies
    Ətraflı Təsviri:
    MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3.
    Manufacturer's standard lead time:
    Anbarda
    Raf ömrü:
    Bir il
    Chip From:
    Honq Konq
    RoHS:
    Ödəniş üsulu:
    Göndərmə yolu:
    Ailə Kateqoriyalarları:
    KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar, Diodlar - RF, Diodlar - Körpü Düzəldicilər, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Seriallar, Qeyri-, Tiristorlar - TRIACs, Transistorlar - JFETlər, Diodlar - Zener - Diziler and Transistorlar - IGBTs - seriallar ...
    Rəqabətli üstünlük:
    Infineon Technologies IPP052N06L3GHKSA1 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. IPP052N06L3GHKSA1 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. IPP052N06L3GHKSA1 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IPP052N06L3GHKSA1 Məhsul keyfiyyətləri

    Hissə nömrəsi : IPP052N06L3GHKSA1
    İstehsalçı : Infineon Technologies
    Təsvir : MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
    Seriya : OptiMOS™
    Hissə Vəziyyəti : Obsolete
    FET növü : N-Channel
    Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
    Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 60V
    Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 80A (Tc)
    Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5 mOhm @ 80A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 58µA
    Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 50nC @ 4.5V
    Vgs (Maks) : ±20V
    Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 8400pF @ 30V
    FET Feature : -
    Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 115W (Tc)
    Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Montaj növü : Through Hole
    Təchizatçı cihaz paketi : PG-TO220-3
    Paket / Case : TO-220-3