Infineon Technologies - IPD50N04S309ATMA1

KEY Part #: K6420587

IPD50N04S309ATMA1 Qiymətləndirmə (USD) [215575ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.17158
  • 2,500 pcs$0.16341

Hissə nömrəsi:
IPD50N04S309ATMA1
İstehsalçı:
Infineon Technologies
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Diodlar - Zener - Diziler, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar, Transistorlar - FET, MOSFETlər - Tək, Tiristorlar - SCRlər, Güc Sürücü Modulları, Transistorlar - JFETlər, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Seriallar, Qeyri- and Transistorlar - IGBTs - Subay ...
Rəqabətli üstünlük:
Infineon Technologies IPD50N04S309ATMA1 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. IPD50N04S309ATMA1 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. IPD50N04S309ATMA1 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD50N04S309ATMA1 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : IPD50N04S309ATMA1
İstehsalçı : Infineon Technologies
Təsvir : MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
Seriya : OptiMOS™
Hissə Vəziyyəti : Not For New Designs
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 40V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 50A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 28µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 26nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 1750pF @ 25V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 63W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : PG-TO252-3
Paket / Case : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Maraqlı ola bilərsiniz