Infineon Technologies - BSS192PE6327T

KEY Part #: K6413491

[13082ədəd Stok]


    Hissə nömrəsi:
    BSS192PE6327T
    İstehsalçı:
    Infineon Technologies
    Ətraflı Təsviri:
    MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89.
    Manufacturer's standard lead time:
    Anbarda
    Raf ömrü:
    Bir il
    Chip From:
    Honq Konq
    RoHS:
    Ödəniş üsulu:
    Göndərmə yolu:
    Ailə Kateqoriyalarları:
    KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - IGBTs - seriallar, Güc Sürücü Modulları, Transistorlar - FETTlər, MOSFETlər - seriallar, Diodlar - Zener - Subay, Transistorlar - FET, MOSFETlər - Tək, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Qeyri-qərəzl, Transistorlar - JFETlər and Tiristorlar - SCR - Modullar ...
    Rəqabətli üstünlük:
    Infineon Technologies BSS192PE6327T elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. BSS192PE6327T sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. BSS192PE6327T üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BSS192PE6327T Məhsul keyfiyyətləri

    Hissə nömrəsi : BSS192PE6327T
    İstehsalçı : Infineon Technologies
    Təsvir : MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89
    Seriya : SIPMOS®
    Hissə Vəziyyəti : Obsolete
    FET növü : P-Channel
    Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
    Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 250V
    Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 190mA (Ta)
    Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 2.8V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12 Ohm @ 190mA, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 130µA
    Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 6.1nC @ 10V
    Vgs (Maks) : ±20V
    Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 104pF @ 25V
    FET Feature : -
    Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 1W (Ta)
    Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Montaj növü : Surface Mount
    Təchizatçı cihaz paketi : PG-SOT89
    Paket / Case : TO-243AA