NXP USA Inc. - PHB112N06T,118

KEY Part #: K6400153

[3496ədəd Stok]


    Hissə nömrəsi:
    PHB112N06T,118
    İstehsalçı:
    NXP USA Inc.
    Ətraflı Təsviri:
    MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK.
    Manufacturer's standard lead time:
    Anbarda
    Raf ömrü:
    Bir il
    Chip From:
    Honq Konq
    RoHS:
    Ödəniş üsulu:
    Göndərmə yolu:
    Ailə Kateqoriyalarları:
    KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Qeyri-qərəzl, Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler, Diodlar - Düzəldicilər - Tək, Diodlar - RF, Transistorlar - IGBTs - seriallar, Transistorlar - FETTlər, MOSFETlər - seriallar, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar and Güc Sürücü Modulları ...
    Rəqabətli üstünlük:
    NXP USA Inc. PHB112N06T,118 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. PHB112N06T,118 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. PHB112N06T,118 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    PHB112N06T,118 Məhsul keyfiyyətləri

    Hissə nömrəsi : PHB112N06T,118
    İstehsalçı : NXP USA Inc.
    Təsvir : MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
    Seriya : TrenchMOS™
    Hissə Vəziyyəti : Obsolete
    FET növü : N-Channel
    Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
    Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 55V
    Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 75A (Tc)
    Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 mOhm @ 25A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
    Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 87nC @ 10V
    Vgs (Maks) : ±20V
    Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 4352pF @ 25V
    FET Feature : -
    Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 200W (Tc)
    Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Montaj növü : Surface Mount
    Təchizatçı cihaz paketi : D2PAK
    Paket / Case : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB