Diodes Incorporated - DMN2011UTS-13

KEY Part #: K6403357

DMN2011UTS-13 Qiymətləndirmə (USD) [404049ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.09154

Hissə nömrəsi:
DMN2011UTS-13
İstehsalçı:
Diodes Incorporated
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 20V 21A 8-TSSOP.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Güc Sürücü Modulları, Diodlar - RF, Transistorlar - IGBTs - Subay, Diodlar - Körpü Düzəldicilər, Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar, Diodlar - Dəyişən Kapasitans (Varikaplar, Varaktor, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Seriallar, Qeyri- and Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək ...
Rəqabətli üstünlük:
Diodes Incorporated DMN2011UTS-13 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. DMN2011UTS-13 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. DMN2011UTS-13 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN2011UTS-13 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : DMN2011UTS-13
İstehsalçı : Diodes Incorporated
Təsvir : MOSFET N-CH 20V 21A 8-TSSOP
Seriya : -
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 20V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 21A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 56nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±12V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 2248pF @ 10V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 1.3W (Ta)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : 8-TSSOP
Paket / Case : 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)