Diodes Incorporated - DMN3009SFGQ-13

KEY Part #: K6394617

DMN3009SFGQ-13 Qiymətləndirmə (USD) [191069ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.19358

Hissə nömrəsi:
DMN3009SFGQ-13
İstehsalçı:
Diodes Incorporated
Ətraflı Təsviri:
MOSFETN-CH 30VPOWERDI3333-8.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF, Transistorlar - IGBTs - seriallar, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar, Diodlar - Zener - Diziler, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - RF, Tiristorlar - SCRlər and Tiristorlar - SCR - Modullar ...
Rəqabətli üstünlük:
Diodes Incorporated DMN3009SFGQ-13 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. DMN3009SFGQ-13 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. DMN3009SFGQ-13 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN3009SFGQ-13 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : DMN3009SFGQ-13
İstehsalçı : Diodes Incorporated
Təsvir : MOSFETN-CH 30VPOWERDI3333-8
Seriya : Automotive, AEC-Q101
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 30V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 16A (Ta), 45A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 42nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 2000pF @ 15V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 900mW (Ta)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : PowerDI3333-8
Paket / Case : 8-PowerVDFN