Yeriniz siyahıda deyilsə, aşağıdakılardan birini seçin:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Yeriniz siyahıda deyilsə, aşağıdakılardan birini seçin:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Ev
  2. Məhsullar
  3. İnteqrasiya edilmiş Dövrlər (IC)
  4. Yaddaş
  5. MT47H128M8SH-25E AAT:M

Micron Technology Inc. - MT47H128M8SH-25E AAT:M

KEY Part #: K936875

MT47H128M8SH-25E AAT:M Qiymətləndirmə (USD) [15327ədəd Stok]

  • 1 pcs$3.00455
  • 1,518 pcs$2.98960
Hissə nömrəsi:
MT47H128M8SH-25E AAT:M
İstehsalçı:
Micron Technology Inc.
Ətraflı Təsviri:
IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Yaddaş - Batareyalar, İnterfeys - Modullar, Məlumatların alınması - analoq cəbhə sonu (AFE), Xətti - Video Emal, PMIC - isti dəyişdirmə nəzarətçiləri, Quraşdırılmış - Mikro nəzarətçilər - Tətbiq Xüsusi, Məntiq - tamponlar, sürücülər, qəbuledicilər, ötür and İnterfeys - Səs yazısı və çalma ...
Rəqabətli üstünlük:
Micron Technology Inc. MT47H128M8SH-25E AAT:M elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. MT47H128M8SH-25E AAT:M sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. MT47H128M8SH-25E AAT:M üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MT47H128M8SH-25E AAT:M Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : MT47H128M8SH-25E AAT:M
İstehsalçı : Micron Technology Inc.
Təsvir : IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
Seriya : -
Hissə Vəziyyəti : Last Time Buy
Yaddaş növü : Volatile
Yaddaş formatı : DRAM
Texnologiya : SDRAM - DDR2
Yaddaş ölçüsü : 1Gb (128M x 8)
Saat tezliyi : 400MHz
Dövr Zamanı yazın - Söz, Səhifə : 15ns
Giriş vaxtı : 400ps
Yaddaş interfeysi : Parallel
Gərginlik - Təchizat : 1.7V ~ 1.9V
Əməliyyat temperaturu : -40°C ~ 105°C (TC)
Montaj növü : Surface Mount
Paket / Case : 60-TFBGA
Təchizatçı cihaz paketi : 60-FBGA (10x18)

Son xəbərlər

Micron LPDRAM
Micron SLC NAND Flash Memory
Micron NAND-Based MCP
Micron 9200 NVMe™ SSDs
Micron 9300 NVMe™ SSD
Micron 5210 ION Enterprise SATA QLC SSDs
Micron NAND Flash
Maraqlı ola bilərsiniz
  • 71V30S55TFG8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP. SRAM 1Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAM

  • AT28C256E-15SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP- 150NS IND TEMP

  • IS61LP6432A-133TQLI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP. SRAM 2Mb 64Kx32 133Mhz Sync SRAM 3.3v

  • 71V25761S183PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM

  • W29N04GZBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x8

  • W29N04GWBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x16

İsti hissələr