Hissə nömrəsi :
NHPD660T4G
İstehsalçı :
ON Semiconductor
Təsvir :
DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK
Gərginlik - DC tərs (Vr) (Maks) :
600V
Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) :
6A
Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər :
3V @ 6A
Sürət :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Geri Bərpa Vaxtı (trr) :
30ns
Cari - Tərs Sızma @ Vr :
30µA @ 600V
Montaj növü :
Surface Mount
Paket / Case :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Təchizatçı cihaz paketi :
DPAK
Əməliyyat temperaturu - qovşaq :
-65°C ~ 175°C