Infineon Technologies - BSC018NE2LSIATMA1

KEY Part #: K6420102

BSC018NE2LSIATMA1 Qiymətləndirmə (USD) [159811ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.23145

Hissə nömrəsi:
BSC018NE2LSIATMA1
İstehsalçı:
Infineon Technologies
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 25V 29A TDSON-8.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Güc Sürücü Modulları, Transistorlar - FET, MOSFETlər - Tək, Transistorlar - JFETlər, Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF, Diodlar - Düzəldicilər - Tək, Transistorlar - IGBTs - seriallar, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar and Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar ...
Rəqabətli üstünlük:
Infineon Technologies BSC018NE2LSIATMA1 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. BSC018NE2LSIATMA1 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. BSC018NE2LSIATMA1 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSC018NE2LSIATMA1 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : BSC018NE2LSIATMA1
İstehsalçı : Infineon Technologies
Təsvir : MOSFET N-CH 25V 29A TDSON-8
Seriya : OptiMOS™
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 25V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 29A (Ta), 100A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.8 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 36nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 2500pF @ 12V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : PG-TDSON-8
Paket / Case : 8-PowerTDFN