Vishay Siliconix - SI4542DY-T1-GE3

KEY Part #: K6523466

[4156ədəd Stok]


    Hissə nömrəsi:
    SI4542DY-T1-GE3
    İstehsalçı:
    Vishay Siliconix
    Ətraflı Təsviri:
    MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC.
    Manufacturer's standard lead time:
    Anbarda
    Raf ömrü:
    Bir il
    Chip From:
    Honq Konq
    RoHS:
    Ödəniş üsulu:
    Göndərmə yolu:
    Ailə Kateqoriyalarları:
    KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - JFETlər, Diodlar - Körpü Düzəldicilər, Transistorlar - FETTlər, MOSFETlər - seriallar, Güc Sürücü Modulları, Tiristorlar - SCR - Modullar, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Seriallar, Qeyri-, Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler and Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar ...
    Rəqabətli üstünlük:
    Vishay Siliconix SI4542DY-T1-GE3 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. SI4542DY-T1-GE3 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. SI4542DY-T1-GE3 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI4542DY-T1-GE3 Məhsul keyfiyyətləri

    Hissə nömrəsi : SI4542DY-T1-GE3
    İstehsalçı : Vishay Siliconix
    Təsvir : MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
    Seriya : TrenchFET®
    Hissə Vəziyyəti : Obsolete
    FET növü : N and P-Channel
    FET Feature : Logic Level Gate
    Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 30V
    Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : -
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 6.9A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA (Min)
    Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 50nC @ 10V
    Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : -
    Gücü - Maks : 2W
    Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Montaj növü : Surface Mount
    Paket / Case : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Təchizatçı cihaz paketi : 8-SO

    Maraqlı ola bilərsiniz