Taiwan Semiconductor Corporation - ES1JFL RVG

KEY Part #: K6458234

ES1JFL RVG Qiymətləndirmə (USD) [983193ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.03762

Hissə nömrəsi:
ES1JFL RVG
İstehsalçı:
Taiwan Semiconductor Corporation
Ətraflı Təsviri:
DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123FL. Rectifiers 35ns 1A 600V Sup Fst Rec Rectif
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Diodlar - Zener - Subay, Transistorlar - JFETlər, Transistorlar - FET, MOSFETlər - Tək, Tiristorlar - SCRlər, Transistorlar - FETTlər, MOSFETlər - seriallar, Diodlar - Zener - Diziler, Tiristorlar - SCR - Modullar and Diodlar - Körpü Düzəldicilər ...
Rəqabətli üstünlük:
Taiwan Semiconductor Corporation ES1JFL RVG elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. ES1JFL RVG sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. ES1JFL RVG üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ES1JFL RVG Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : ES1JFL RVG
İstehsalçı : Taiwan Semiconductor Corporation
Təsvir : DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123FL
Seriya : -
Hissə Vəziyyəti : Active
Diod növü : Standard
Gərginlik - DC tərs (Vr) (Maks) : 600V
Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) : 1A
Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər : 1.7V @ 1A
Sürət : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Geri Bərpa Vaxtı (trr) : 35ns
Cari - Tərs Sızma @ Vr : 5µA @ 600V
Kapasitans @ Vr, F : 8pF @ 4V, 1MHz
Montaj növü : Surface Mount
Paket / Case : SOD-123F
Təchizatçı cihaz paketi : SOD-123FL
Əməliyyat temperaturu - qovşaq : -55°C ~ 150°C

Maraqlı ola bilərsiniz
  • 1SS250(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE GEN PURP 200V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 200V Switching Diode S-Mini High

  • SE20AFGHM3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 400 volts ESD PROTECTION 13in

  • SE20AFDHM3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 200 volts ESD PROTECTION 13in

  • SE20AFBHM3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 100 volts ESD PROTECTION 13in

  • SE20AFB-M3/6A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 100 Volts ESD PROTECTION

  • SE20AFD-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 200 volts ESD PROTECTION 13in