İstehsalçı :
ON Semiconductor
Təsvir :
DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
Gərginlik - DC tərs (Vr) (Maks) :
600V
Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) :
3A
Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər :
1.7V @ 3A
Sürət :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Geri Bərpa Vaxtı (trr) :
75ns
Cari - Tərs Sızma @ Vr :
5µA @ 600V
Kapasitans @ Vr, F :
75pF @ 4V, 1MHz
Montaj növü :
Through Hole
Paket / Case :
DO-201AD, Axial
Təchizatçı cihaz paketi :
DO-201AD
Əməliyyat temperaturu - qovşaq :
-65°C ~ 150°C