Yeriniz siyahıda deyilsə, aşağıdakılardan birini seçin:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Yeriniz siyahıda deyilsə, aşağıdakılardan birini seçin:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Ev
  2. Məhsullar
  3. Diskret yarımkeçirici məhsullar
  4. Transistorlar - FET, MOSFETlər - Tək
  5. GA06JT12-247

GeneSiC Semiconductor - GA06JT12-247

KEY Part #: K6412611

GA06JT12-247 Qiymətləndirmə (USD) [13386ədəd Stok]

  • 1,260 pcs$4.76672
Hissə nömrəsi:
GA06JT12-247
İstehsalçı:
GeneSiC Semiconductor
Ətraflı Təsviri:
TRANS SJT 1200V 6A TO-247AB.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - IGBTs - Subay, Diodlar - Zener - Diziler, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Seriallar, Qeyri-, Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler, Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Qeyri-qərəzl, Diodlar - RF and Diodlar - Zener - Subay ...
Rəqabətli üstünlük:
GeneSiC Semiconductor GA06JT12-247 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. GA06JT12-247 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. GA06JT12-247 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GA06JT12-247 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : GA06JT12-247
İstehsalçı : GeneSiC Semiconductor
Təsvir : TRANS SJT 1200V 6A TO-247AB
Seriya : -
Hissə Vəziyyəti : Obsolete
FET növü : -
Texnologiya : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 1200V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 6A (Tc) (90°C)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 220 mOhm @ 6A
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Maks) : -
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : -
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : -
Əməliyyat temperaturu : 175°C (TJ)
Montaj növü : Through Hole
Təchizatçı cihaz paketi : TO-247AB
Paket / Case : TO-247-3
Maraqlı ola bilərsiniz
  • IRFS7437-7PPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N CH 40V 195A D2PAK-7PIN.

  • AUIRLS3114Z

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 40V 42A D2PAK.

  • IRFR825PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 500V 6A DPAK.

  • IRLR3714ZTRL

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 20V 37A DPAK.

  • IRLR4343

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 26A DPAK.

  • NDF10N60ZH

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FP.

İsti hissələr