Vishay Siliconix - SIA110DJ-T1-GE3

KEY Part #: K6396218

SIA110DJ-T1-GE3 Qiymətləndirmə (USD) [216579ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.17078

Hissə nömrəsi:
SIA110DJ-T1-GE3
İstehsalçı:
Vishay Siliconix
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SC-7.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Güc Sürücü Modulları, Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Qeyri-qərəzl, Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF, Diodlar - Düzəldicilər - Tək and Diodlar - Zener - Subay ...
Rəqabətli üstünlük:
Vishay Siliconix SIA110DJ-T1-GE3 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. SIA110DJ-T1-GE3 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. SIA110DJ-T1-GE3 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIA110DJ-T1-GE3 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : SIA110DJ-T1-GE3
İstehsalçı : Vishay Siliconix
Təsvir : MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SC-7
Seriya : TrenchFET® Gen IV
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 100V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 5.4A (Ta), 12A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 55 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 13nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 550pF @ 50V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : PowerPAK® SC-70-6 Single
Paket / Case : PowerPAK® SC-70-6