İstehsalçı :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Təsvir :
DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
Gərginlik - DC tərs (Vr) (Maks) :
100V
Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) :
1A
Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər :
1V @ 1A
Sürət :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Geri Bərpa Vaxtı (trr) :
50ns
Cari - Tərs Sızma @ Vr :
5µA @ 100V
Kapasitans @ Vr, F :
20pF @ 4V, 1MHz
Montaj növü :
Surface Mount
Paket / Case :
DO-213AB, MELF (Glass)
Təchizatçı cihaz paketi :
DO-213AB
Əməliyyat temperaturu - qovşaq :
-65°C ~ 175°C