Hissə nömrəsi :
APTSM120TAM33CTPAG
İstehsalçı :
Microsemi Corporation
Təsvir :
POWER MODULE - SIC
FET növü :
6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET Feature :
Silicon Carbide (SiC)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) :
1200V (1.2kV)
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C :
112A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
33 mOhm @ 60A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 3mA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs :
408nC @ 20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds :
7680pF @ 1000V
Əməliyyat temperaturu :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Montaj növü :
Chassis Mount
Təchizatçı cihaz paketi :
SP6