S29GL512S10GHI010 Qiymətləndirmə (USD) [16028ədəd Stok]
- 1 pcs$3.55725
- 260 pcs$3.53955
- Hissə nömrəsi:
- S29GL512S10GHI010
- İstehsalçı:
- Cypress Semiconductor Corp
- Ətraflı Təsviri:
- IC FLASH 512M PARALLEL 56BGA. NOR Flash Nor
- Manufacturer's standard lead time:
- Anbarda
- Raf ömrü:
- Bir il
- Chip From:
- Honq Konq
- RoHS:
- Ödəniş üsulu:
-
- Göndərmə yolu:
- Ailə Kateqoriyalarları:
- KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: PMIC - Ekran Sürücüləri, PMIC - Gərginlik arayışı, Məntiq - latçalar, İnterfeys - Səs yazısı və çalma, PMIC - Elektrik paylama açarları, yük sürücüləri, Xətti - analoq çarpanlar, bölücülər, Məntiq - Shift Qeydləri and PMIC - Gərginlik tənzimləyiciləri - Xətti tənzimlə ...
- Rəqabətli üstünlük:
- Cypress Semiconductor Corp S29GL512S10GHI010 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. S29GL512S10GHI010 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. S29GL512S10GHI010 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
S29GL512S10GHI010 Məhsul keyfiyyətləri
Hissə nömrəsi :
S29GL512S10GHI010
İstehsalçı :
Cypress Semiconductor Corp
Təsvir :
IC FLASH 512M PARALLEL 56BGA
Seriya :
GL-S
Hissə Vəziyyəti :
Active
Yaddaş növü :
Non-Volatile
Yaddaş formatı :
FLASH
Texnologiya :
FLASH - NOR
Yaddaş ölçüsü :
512Mb (32M x 16)
Saat tezliyi :
-
Dövr Zamanı yazın - Söz, Səhifə :
60ns
Giriş vaxtı :
100ns
Yaddaş interfeysi :
Parallel
Gərginlik - Təchizat :
2.7V ~ 3.6V
Əməliyyat temperaturu :
-40°C ~ 85°C (TA)
Montaj növü :
Surface Mount
Paket / Case :
56-VFBGA
Təchizatçı cihaz paketi :
56-FBGA (9x7)
Son xəbərlər
Maraqlı ola bilərsiniz
-
-
-
AT28HC256-12SU-T
Microchip Technology
IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 120NS, SOIC, IND TEMP, GREEN
-
AT28C256E-15SU-T
Microchip Technology
IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 150NS, SOIC, IND TEMP, GREEN
-
W9825G2JB-6I TR
Winbond Electronics
IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 256M SDR SDRAM x32, 166MHz, Ind Temp T&R
-
TC58NYG2S0HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
İsti hissələr
- CY7C024AV-25AXI
- AT49BV163AT-70TI
- AT25040A-10TU-1.8-T
- MT48LC64M4A2TG-75 L:D
- MT47H64M8CB-5E:B
- MT48LC16M16A2TG-7E:D TR
- AT93C46-10TI-2.7
- AT49LD3200B-20TI
- AT29C512-15PC
- AT27LV520-70XC
- MB85R256GPF-G-BND-ERE1
- V29AL008D55TAIR10
- MT53B256M32D1Z91MWC1
- CG7821AA
- MT52L256M64D2LZ-107 XT:B TR
- N25Q032A11EF640F TR
- MT53B256M64D2TP-062 XT ES:C TR
- IS43DR16128A-3DBLI
- EMFA164A2PM-DV-F-R TR
- AS4C128M16D3L-12BIN
- AS4C16M16S-6BINTR
- CY7C131E-55JXIT
- 7133LA25PF
- CY7C1041CV33-12BAXET
- MT47H256M8EB-25E XIT:C TR
- AT28LV256-25PI
- SST39VF010-70-4C-B3KE
- CAT24C04ZI-GT3
- 71V321L35TF
- IDT71V2556S133PF
- IDT71P73804S250BQ
- 7130SA20J
- IDT70T633S15DD
- PC28F256P30B85F
- CY62128BNLL-70SXAT
- M29F400BT90N6T TR
- IS42S16400D-7T
- MX66U51235FZ4I-10G
- S29GL064N90TFVR20
- S25FL128SAGMFA001
选择你的位置