Hissə nömrəsi :
BSC018NE2LSATMA1
İstehsalçı :
Infineon Technologies
Təsvir :
MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
Texnologiya :
MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) :
25V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C :
29A (Ta), 100A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.8 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs :
39nC @ 10V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds :
2800pF @ 12V
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) :
2.5W (Ta), 69W (Tc)
Əməliyyat temperaturu :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü :
Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi :
PG-TDSON-8
Paket / Case :
8-PowerTDFN