Infineon Technologies - SPD04P10PLGBTMA1

KEY Part #: K6409705

SPD04P10PLGBTMA1 Qiymətləndirmə (USD) [285187ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.12970
  • 2,500 pcs$0.12452

Hissə nömrəsi:
SPD04P10PLGBTMA1
İstehsalçı:
Infineon Technologies
Ətraflı Təsviri:
MOSFET P-CH 100V 4.2A TO252-3.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar, Transistorlar - JFETlər, Transistorlar - IGBTs - Subay, Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar, Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik, Tiristorlar - SCR - Modullar, Transistorlar - IGBTs - seriallar and Diodlar - Düzəldicilər - Tək ...
Rəqabətli üstünlük:
Infineon Technologies SPD04P10PLGBTMA1 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. SPD04P10PLGBTMA1 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. SPD04P10PLGBTMA1 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SPD04P10PLGBTMA1 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : SPD04P10PLGBTMA1
İstehsalçı : Infineon Technologies
Təsvir : MOSFET P-CH 100V 4.2A TO252-3
Seriya : SIPMOS®
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : P-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 100V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 4.2A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 850 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 380µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 16nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 372pF @ 25V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 38W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : PG-TO252-3
Paket / Case : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63