Yeriniz siyahıda deyilsə, aşağıdakılardan birini seçin:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Yeriniz siyahıda deyilsə, aşağıdakılardan birini seçin:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Ev
  2. Məhsullar
  3. İnteqrasiya edilmiş Dövrlər (IC)
  4. Yaddaş
  5. AS4C64M8D1-5BIN

Alliance Memory, Inc. - AS4C64M8D1-5BIN

KEY Part #: K939770

AS4C64M8D1-5BIN Qiymətləndirmə (USD) [26775ədəd Stok]

  • 1 pcs$1.71994
  • 240 pcs$1.71138
Hissə nömrəsi:
AS4C64M8D1-5BIN
İstehsalçı:
Alliance Memory, Inc.
Ətraflı Təsviri:
IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA. DRAM 512M, 2.5V, 200Mhz 64M x 8 DDR1
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: PMIC - isti dəyişdirmə nəzarətçiləri, Xətti - Video Emal, Daxili - FPGA'lar (Field Programlanabilir Gate Arr, IC Çipləri, İnterfeys - Birbaşa Rəqəmsal Sintez (DDS), Məntiq - FİFO Yaddaşı, Quraşdırılmış - Mikro nəzarətçilər and Məntiq - Multivibratörlər ...
Rəqabətli üstünlük:
Alliance Memory, Inc. AS4C64M8D1-5BIN elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. AS4C64M8D1-5BIN sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. AS4C64M8D1-5BIN üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AS4C64M8D1-5BIN Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : AS4C64M8D1-5BIN
İstehsalçı : Alliance Memory, Inc.
Təsvir : IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
Seriya : -
Hissə Vəziyyəti : Active
Yaddaş növü : Volatile
Yaddaş formatı : DRAM
Texnologiya : SDRAM - DDR
Yaddaş ölçüsü : 512Mb (64M x 8)
Saat tezliyi : 200MHz
Dövr Zamanı yazın - Söz, Səhifə : 15ns
Giriş vaxtı : 700ps
Yaddaş interfeysi : Parallel
Gərginlik - Təchizat : 2.3V ~ 2.7V
Əməliyyat temperaturu : -40°C ~ 85°C (TA)
Montaj növü : Surface Mount
Paket / Case : 60-TFBGA
Təchizatçı cihaz paketi : 60-FBGA (8x13)

Son xəbərlər

Alliance Memory Low Power CMOS SRAM
Alliance Memory MT41x DDR3 SDRAMs
Alliance Memory Low-Power DDR2 SDRAM
Maraqlı ola bilərsiniz
  • N01S818HAT22I

    ON Semiconductor

    IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP. SRAM 1MB, 1.8V, HOLD FUNCT

  • N01S830HAT22I

    ON Semiconductor

    IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP. SRAM 1MB UltraLow Pwr Serial SRAM

  • N01S830BAT22I

    ON Semiconductor

    IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP. SRAM 1MB, 3V, BATT BU FUNCT

  • R1LP5256ESP-5SI#B0

    Renesas Electronics America

    IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP. SRAM SRAM SRAM LP(256K) 256K LP

  • R1LV5256ESP-5SI#B0

    Renesas Electronics America

    IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP. SRAM 256kb 3V Adv. SRAM x8, SOP 55NS WTR Tube

  • 71256SA25TPGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 256K PARALLEL 28DIP. SRAM 32Kx8 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM

İsti hissələr