Taiwan Semiconductor Corporation - TSM60NB190CM2 RNG

KEY Part #: K6399300

TSM60NB190CM2 RNG Qiymətləndirmə (USD) [62761ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.62301

Hissə nömrəsi:
TSM60NB190CM2 RNG
İstehsalçı:
Taiwan Semiconductor Corporation
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 600V 18A TO263.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Diodlar - Dəyişən Kapasitans (Varikaplar, Varaktor, Güc Sürücü Modulları, Transistorlar - JFETlər, Tiristorlar - TRIACs, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar, Diodlar - RF, Diodlar - Körpü Düzəldicilər and Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar ...
Rəqabətli üstünlük:
Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB190CM2 RNG elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. TSM60NB190CM2 RNG sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. TSM60NB190CM2 RNG üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TSM60NB190CM2 RNG Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : TSM60NB190CM2 RNG
İstehsalçı : Taiwan Semiconductor Corporation
Təsvir : MOSFET N-CH 600V 18A TO263
Seriya : -
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 600V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 18A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 31nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±30V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 1273pF @ 100V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 150.6W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : TO-263 (D²Pak)
Paket / Case : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB