Toshiba Semiconductor and Storage - RN1106MFV(TL3,T)

KEY Part #: K6527870

[2688ədəd Stok]


    Hissə nömrəsi:
    RN1106MFV(TL3,T)
    İstehsalçı:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Ətraflı Təsviri:
    TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM.
    Manufacturer's standard lead time:
    Anbarda
    Raf ömrü:
    Bir il
    Chip From:
    Honq Konq
    RoHS:
    Ödəniş üsulu:
    Göndərmə yolu:
    Ailə Kateqoriyalarları:
    KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - IGBTs - Modullar, Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF, Diodlar - Körpü Düzəldicilər, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Seriallar, Qeyri-, Güc Sürücü Modulları, Diodlar - Zener - Diziler, Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar and Diodlar - RF ...
    Rəqabətli üstünlük:
    Toshiba Semiconductor and Storage RN1106MFV(TL3,T) elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. RN1106MFV(TL3,T) sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. RN1106MFV(TL3,T) üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    RN1106MFV(TL3,T) Məhsul keyfiyyətləri

    Hissə nömrəsi : RN1106MFV(TL3,T)
    İstehsalçı : Toshiba Semiconductor and Storage
    Təsvir : TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
    Seriya : -
    Hissə Vəziyyəti : Obsolete
    Transistor tipi : NPN - Pre-Biased
    Cari - Kolleksiyaçı (Ic) (Max) : 100mA
    Gərginlik - Kolleksiyaçı Emitter Qırılması (Maks) : 50V
    Rezistor - Baza (R1) : 4.7 kOhms
    Rezistor - Emitter bazası (R2) : 47 kOhms
    DC cari qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce : 80 @ 10mA, 5V
    Vce Doyma (Maksimum) @ Ib, Ic : 300mV @ 500µA, 5mA
    Cari - Kolleksiyaçı Kəsimi (Maks) : 500nA
    Tezlik - Keçid : -
    Gücü - Maks : 150mW
    Montaj növü : Surface Mount
    Paket / Case : SOT-723
    Təchizatçı cihaz paketi : VESM