ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS62WV51216EALL-55BLI

KEY Part #: K937492

Ətraflı Təsviri:: IC SRAM 8M PARALLEL 48VFBGA. SRAM 8Mb LowPwr/Pwr Saver Async 512Kx16 45ns

Ailə Kateqoriyalarları:: KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: PMIC - Enerji İdarəetmə - İxtisaslaşmış, Məlumatların əldə edilməsi - Sensorlu ekran nəzarə, Xətti - müqayisələr, PMIC - Ethernet (PoE) Nəzarətçiləri, Məlumatların alınması - Rəqəmsal çeviricilərə anal, Məntiq - Qapılar və İnverterlər - Çox funksiyalı, , İnterfeys - Nəzarətçilər and Məntiq - Paritet Yaradanlar və Dama ...

Rəqabətli üstünlük:: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV51216EALL-55BLI elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. IS62WV51216EALL-55BLI sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. IS62WV51216EALL-55BLI üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com

Hissə nömrəsi : IS62WV51216EALL-55BLI

İstehsalçı : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Təsvir : IC SRAM 8M PARALLEL 48VFBGA

Seriya : -

Hissə Vəziyyəti : Active

Yaddaş növü : Volatile

Yaddaş formatı : SRAM

Texnologiya : SRAM - Asynchronous

Yaddaş ölçüsü : 8Mb (512K x 16)

Saat tezliyi : -

Dövr Zamanı yazın - Söz, Səhifə : 55ns

Giriş vaxtı : 55ns

Yaddaş interfeysi : Parallel

Gərginlik - Təchizat : 1.65V ~ 2.2V

Əməliyyat temperaturu : -40°C ~ 85°C (TA)

Montaj növü : Surface Mount

Paket / Case : 48-VFBGA

Təchizatçı cihaz paketi : 48-VFBGA (6x8)

Silicom MinnowBoard Turbot

Maraqlı ola bilərsiniz

MB85RS2MTAPH-G-JNE2

Fujitsu Electronics America, Inc.

IC FRAM 2M SPI 40MHZ 8DIP.
AT28BV256-20SU-T

Microchip Technology

IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 200NS, SOIC, IND TEMP, GREEN
AT28C256-15SU-T

Microchip Technology

IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 150NS, SOIC, IND TEMP, GREEN
71V25761S183PFGI8

IDT, Integrated Device Technology Inc

IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4Mb PBSRAM 128K x 36 w/2.5V I/O Pipeline
EDB5432BEBH-1DAUT-F-D

Micron Technology Inc.

IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA.
TH58BYG2S3HBAI6

Toshiba Memory America, Inc.

IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

İsti hissələr