STMicroelectronics - STB150N3LH6

KEY Part #: K6401125

STB150N3LH6 Qiymətləndirmə (USD) [3159ədəd Stok]

  • 1,000 pcs$0.62019

Hissə nömrəsi:
STB150N3LH6
İstehsalçı:
STMicroelectronics
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N CH 30V 80A D2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF, Diodlar - Körpü Düzəldicilər, Diodlar - Düzəldicilər - Tək, Transistorlar - IGBTs - seriallar, Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Seriallar, Qeyri-, Transistorlar - Xüsusi Məqsəd and Transistorlar - IGBTs - Modullar ...
Rəqabətli üstünlük:
STMicroelectronics STB150N3LH6 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. STB150N3LH6 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. STB150N3LH6 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STB150N3LH6 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : STB150N3LH6
İstehsalçı : STMicroelectronics
Təsvir : MOSFET N CH 30V 80A D2PAK
Seriya : DeepGATE™, STripFET™ VI
Hissə Vəziyyəti : Obsolete
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 30V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 80A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 80nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 3800pF @ 25V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 110W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : TO-263 (D²Pak)
Paket / Case : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB