Infineon Technologies - BUZ30AH3045AATMA1

KEY Part #: K6418921

BUZ30AH3045AATMA1 Qiymətləndirmə (USD) [82979ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.47121
  • 1,000 pcs$0.43233

Hissə nömrəsi:
BUZ30AH3045AATMA1
İstehsalçı:
Infineon Technologies
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 200V 21A TO-263.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - Bipolyar (BJT) - RF, Güc Sürücü Modulları, Transistorlar - Xüsusi Məqsəd, Diodlar - RF, Transistorlar - FET, MOSFETlər - Tək, Diodlar - Körpü Düzəldicilər, Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler and Tiristorlar - SCRlər ...
Rəqabətli üstünlük:
Infineon Technologies BUZ30AH3045AATMA1 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. BUZ30AH3045AATMA1 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. BUZ30AH3045AATMA1 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BUZ30AH3045AATMA1 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : BUZ30AH3045AATMA1
İstehsalçı : Infineon Technologies
Təsvir : MOSFET N-CH 200V 21A TO-263
Seriya : SIPMOS®
Hissə Vəziyyəti : Not For New Designs
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 200V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 21A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 130 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 1900pF @ 25V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 125W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : D²PAK (TO-263AB)
Paket / Case : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Maraqlı ola bilərsiniz