Infineon Technologies - IRF8113TRPBF

KEY Part #: K6420845

IRF8113TRPBF Qiymətləndirmə (USD) [268593ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.13771
  • 4,000 pcs$0.13216

Hissə nömrəsi:
IRF8113TRPBF
İstehsalçı:
Infineon Technologies
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Transistorlar - JFETlər, Diodlar - Düzləşdiricilər - Diziler, Tiristorlar - SCRlər, Transistorlar - Xüsusi Məqsəd, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Qeyri-qərəzl, Transistorlar - IGBTs - Modullar and Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF ...
Rəqabətli üstünlük:
Infineon Technologies IRF8113TRPBF elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. IRF8113TRPBF sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. IRF8113TRPBF üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF8113TRPBF Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : IRF8113TRPBF
İstehsalçı : Infineon Technologies
Təsvir : MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC
Seriya : HEXFET®
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 30V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 17.2A (Ta)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.6 mOhm @ 17.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 36nC @ 4.5V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 2910pF @ 15V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 2.5W (Ta)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : 8-SO
Paket / Case : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)