Hissə nömrəsi :
IPD65R950CFDBTMA1
İstehsalçı :
Infineon Technologies
Təsvir :
MOSFET N-CH 650V 3.9A TO-252
Texnologiya :
MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) :
650V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C :
3.9A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
950 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 200µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs :
14.1nC @ 10V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds :
380pF @ 100V
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) :
36.7W (Tc)
Əməliyyat temperaturu :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü :
Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi :
PG-TO252-3
Paket / Case :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63