Hissə nömrəsi :
VS-GB100LH120N
İstehsalçı :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Təsvir :
IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK
Gərginlik - Kolleksiyaçı Emitter Qırılması (Maks) :
1200V
Cari - Kolleksiyaçı (Ic) (Max) :
200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic :
1.77V @ 15V, 100A (Typ)
Cari - Kolleksiyaçı Kəsimi (Maks) :
1mA
Giriş qabiliyyəti (Cies) @ Vce :
8.96nF @ 25V
Əməliyyat temperaturu :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü :
Chassis Mount
Paket / Case :
Double INT-A-PAK (3 + 4)
Təchizatçı cihaz paketi :
Double INT-A-PAK