Vishay Semiconductor Diodes Division - RGF1GHE3/67A

KEY Part #: K6457446

RGF1GHE3/67A Qiymətləndirmə (USD) [506068ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.07309
  • 6,000 pcs$0.06624

Hissə nömrəsi:
RGF1GHE3/67A
İstehsalçı:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Ətraflı Təsviri:
DIODE GEN PURP 400V 1A DO214BA. Diodes - General Purpose, Power, Switching 1 Amp 400 Volt 150ns 30 Amp IFSM
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - Bipolyar (BJT) - RF, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar, Transistorlar - IGBTs - Subay, Güc Sürücü Modulları, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Seriallar, Qeyri-, Transistorlar - IGBTs - Modullar and Tiristorlar - SCRlər ...
Rəqabətli üstünlük:
Vishay Semiconductor Diodes Division RGF1GHE3/67A elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. RGF1GHE3/67A sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. RGF1GHE3/67A üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RGF1GHE3/67A Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : RGF1GHE3/67A
İstehsalçı : Vishay Semiconductor Diodes Division
Təsvir : DIODE GEN PURP 400V 1A DO214BA
Seriya : SUPERECTIFIER®
Hissə Vəziyyəti : Active
Diod növü : Standard
Gərginlik - DC tərs (Vr) (Maks) : 400V
Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) : 1A
Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər : 1.3V @ 1A
Sürət : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Geri Bərpa Vaxtı (trr) : 150ns
Cari - Tərs Sızma @ Vr : 5µA @ 400V
Kapasitans @ Vr, F : 8.5pF @ 4V, 1MHz
Montaj növü : Surface Mount
Paket / Case : DO-214BA
Təchizatçı cihaz paketi : DO-214BA (GF1)
Əməliyyat temperaturu - qovşaq : -65°C ~ 175°C

Maraqlı ola bilərsiniz
  • ES1D-E3/61T

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC. Rectifiers 1.0 Amp 200 Volt

  • US1M-E3/61T

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC. Rectifiers 1.0 Amp 1000 Volt

  • ES2CHE3_A/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,150V,20ns SMB, UF Rect, SMD

  • ES2AHE3_A/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,50V,20ns SMB, UF Rect, SMD

  • ES2BHE3_A/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,100V,20ns SMB, UF Rect, SMD

  • MURS120HE3_A/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA. Rectifiers 1A,200V,25ns SMB, UF Rect, SMD