Hissə nömrəsi :
APTM60A11FT1G
İstehsalçı :
Microsemi Corporation
Təsvir :
MOSFET 2N-CH 600V 40A SP1
FET növü :
2 N-Channel (Half Bridge)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) :
600V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C :
40A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
132 mOhm @ 33A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 2.5mA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs :
330nC @ 10V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds :
10552pF @ 25V
Əməliyyat temperaturu :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü :
Chassis Mount
Təchizatçı cihaz paketi :
SP1