IDH02G120C5XKSA1 Qiymətləndirmə (USD) [29594ədəd Stok]
- 1 pcs$1.38380
- 10 pcs$1.24145
- 100 pcs$0.96506
- 500 pcs$0.82154
- 1,000 pcs$0.69287
- Hissə nömrəsi:
- IDH02G120C5XKSA1
- İstehsalçı:
- Infineon Technologies
- Ətraflı Təsviri:
- DIODE SCHOTTKY 1200V 2A TO220-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC CHIP/DISCRETE
- Manufacturer's standard lead time:
- Anbarda
- Raf ömrü:
- Bir il
- Chip From:
- Honq Konq
- RoHS:
- Ödəniş üsulu:
-
- Göndərmə yolu:
- Ailə Kateqoriyalarları:
- KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Diodlar - Körpü Düzəldicilər, Güc Sürücü Modulları, Transistorlar - IGBTs - Modullar, Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Qeyri-qərəzl, Tiristorlar - SCR - Modullar, Diodlar - Dəyişən Kapasitans (Varikaplar, Varaktor and Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar ...
- Rəqabətli üstünlük:
- Infineon Technologies IDH02G120C5XKSA1 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. IDH02G120C5XKSA1 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. IDH02G120C5XKSA1 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
IDH02G120C5XKSA1 Məhsul keyfiyyətləri
Hissə nömrəsi :
IDH02G120C5XKSA1
İstehsalçı :
Infineon Technologies
Təsvir :
DIODE SCHOTTKY 1200V 2A TO220-2
Seriya :
CoolSiC™
Hissə Vəziyyəti :
Active
Diod növü :
Silicon Carbide Schottky
Gərginlik - DC tərs (Vr) (Maks) :
1200V
Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) :
2A (DC)
Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər :
1.65V @ 2A
Sürət :
No Recovery Time > 500mA (Io)
Geri Bərpa Vaxtı (trr) :
0ns
Cari - Tərs Sızma @ Vr :
18µA @ 1200V
Kapasitans @ Vr, F :
182pF @ 1V, 1MHz
Montaj növü :
Through Hole
Paket / Case :
TO-220-2
Təchizatçı cihaz paketi :
PG-TO220-2-1
Əməliyyat temperaturu - qovşaq :
175°C (Max)
Son xəbərlər
Maraqlı ola bilərsiniz
-
RURD660S9A-F085
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK. Rectifiers Ultrafast Power Rectifier, 6A 600V
-
-
-
RURD460S9A
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 600V 4A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Fast Diode 4a 600V
-
VS-8EWL06FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 8A TO252AA. Rectifiers 8A 600V 60ns Hyperfast
-
İsti hissələr
- MBRB10H50HE3/45
- MBRB16H35-E3/81
- GP10KE-M3/73
- 1N4005-N-0-2-BP
- 1N4003 BK
- IRD3CH31DB6
- SS310HE-TP
- CLL914 BK
- JANTX1N6761UR-1
- GP10-4003E-M3/54
- EGP10F-M3/54
- VS-30WQ06FNTRLPBF
- UH1B-E3/61T
- MBRF7H60HE3/45
- RGP15DHE3/54
- RB420D-TP
- VS-90SQ045TR
- DGP20HE3/54
- 1N5622GP-E3/73
- U1GWJ49(TE12L,F)
- STTH3R04
- 2A02-T
- STTH10R04G
- FFPF04U150STU
- VS-20L15TPBF
- MBR2515L
- MBR845RL
- B280-13
- 60CPF10
- 40EPS08
- MA3X72100L
- MA2J11600L
- DL4001
- IDD15E60BUMA1
- 2A01-TP
- IDW30E60AFKSA1
- RGP02-14E-E3/73
- HS5M M6G
- GL41DHE3/97
- SE15PD-M3/85A
选择你的位置