Hissə nömrəsi :
SMUN5230DW1T1G
İstehsalçı :
ON Semiconductor
Təsvir :
TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363
Transistor tipi :
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Cari - Kolleksiyaçı (Ic) (Max) :
100mA
Gərginlik - Kolleksiyaçı Emitter Qırılması (Maks) :
50V
Rezistor - Baza (R1) :
1 kOhms
Rezistor - Emitter bazası (R2) :
1 kOhms
DC cari qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
3 @ 5mA, 10V
Vce Doyma (Maksimum) @ Ib, Ic :
250mV @ 5mA, 10mA
Cari - Kolleksiyaçı Kəsimi (Maks) :
500nA
Montaj növü :
Surface Mount
Paket / Case :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Təchizatçı cihaz paketi :
SC-88/SC70-6/SOT-363