Hissə nömrəsi :
DLN10C-BT
İstehsalçı :
ON Semiconductor
Təsvir :
DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL
Hissə Vəziyyəti :
Obsolete
Gərginlik - DC tərs (Vr) (Maks) :
200V
Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) :
1A
Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər :
980mV @ 1A
Sürət :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Geri Bərpa Vaxtı (trr) :
35ns
Cari - Tərs Sızma @ Vr :
10µA @ 200V
Montaj növü :
Through Hole
Paket / Case :
R-1 (Axial)
Təchizatçı cihaz paketi :
-
Əməliyyat temperaturu - qovşaq :
150°C (Max)