Hissə nömrəsi :
SIHU6N62E-GE3
İstehsalçı :
Vishay Siliconix
Təsvir :
MOSFET N-CH 620V 6A TO-251
Texnologiya :
MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) :
620V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C :
6A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
900 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs :
34nC @ 10V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds :
578pF @ 100V
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) :
78W (Tc)
Əməliyyat temperaturu :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü :
Through Hole
Təchizatçı cihaz paketi :
IPAK (TO-251)
Paket / Case :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA