Infineon Technologies - BSC009NE2LS5ATMA1

KEY Part #: K6419440

BSC009NE2LS5ATMA1 Qiymətləndirmə (USD) [112253ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.32950
  • 5,000 pcs$0.31796

Hissə nömrəsi:
BSC009NE2LS5ATMA1
İstehsalçı:
Infineon Technologies
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 25V 41A 8TDSON.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Diodlar - RF, Transistorlar - IGBTs - Modullar, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar, Transistorlar - FETTlər, MOSFETlər - seriallar, Diodlar - Dəyişən Kapasitans (Varikaplar, Varaktor, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik and Transistorlar - FET, MOSFETlər - Tək ...
Rəqabətli üstünlük:
Infineon Technologies BSC009NE2LS5ATMA1 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. BSC009NE2LS5ATMA1 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. BSC009NE2LS5ATMA1 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSC009NE2LS5ATMA1 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : BSC009NE2LS5ATMA1
İstehsalçı : Infineon Technologies
Təsvir : MOSFET N-CH 25V 41A 8TDSON
Seriya : OptiMOS™
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 25V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 41A (Ta), 100A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 0.9 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 57nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±16V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 3900pF @ 12V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : PG-TDSON-8
Paket / Case : 8-PowerTDFN

Maraqlı ola bilərsiniz