RGF1M-E3/67A Qiymətləndirmə (USD) [550125ədəd Stok]
- 1 pcs$0.07095
- 1,500 pcs$0.07060
- 3,000 pcs$0.06437
- 7,500 pcs$0.06021
- 10,500 pcs$0.05606
- Hissə nömrəsi:
- RGF1M-E3/67A
- İstehsalçı:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Ətraflı Təsviri:
- DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214BA. Diodes - General Purpose, Power, Switching 1 Amp 1000Volt 500ns 30 Amp IFSM
- Manufacturer's standard lead time:
- Anbarda
- Raf ömrü:
- Bir il
- Chip From:
- Honq Konq
- RoHS:
- Ödəniş üsulu:
-
- Göndərmə yolu:
- Ailə Kateqoriyalarları:
- KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - Bipolyar (BJT) - RF, Transistorlar - FET, MOSFETlər - Tək, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Seriallar, Qeyri-, Tiristorlar - TRIACs, Diodlar - Zener - Diziler, Transistorlar - FETTlər, MOSFETlər - seriallar, Tiristorlar - DIAClar, SIDAClar and Diodlar - Düzəldicilər - Tək ...
- Rəqabətli üstünlük:
- Vishay Semiconductor Diodes Division RGF1M-E3/67A elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. RGF1M-E3/67A sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. RGF1M-E3/67A üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
RGF1M-E3/67A Məhsul keyfiyyətləri
Hissə nömrəsi :
RGF1M-E3/67A
İstehsalçı :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Təsvir :
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214BA
Seriya :
SUPERECTIFIER®
Hissə Vəziyyəti :
Active
Diod növü :
Standard
Gərginlik - DC tərs (Vr) (Maks) :
1000V
Cari - Orta Düzəldilmiş (Io) :
1A
Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər :
1.3V @ 1A
Sürət :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Geri Bərpa Vaxtı (trr) :
500ns
Cari - Tərs Sızma @ Vr :
5µA @ 1000V
Kapasitans @ Vr, F :
8.5pF @ 4V, 1MHz
Montaj növü :
Surface Mount
Paket / Case :
DO-214BA
Təchizatçı cihaz paketi :
DO-214BA (GF1)
Əməliyyat temperaturu - qovşaq :
-65°C ~ 175°C
Son xəbərlər
Maraqlı ola bilərsiniz
-
-
C3D04060E
Cree/Wolfspeed
DIODE SCHOTTKY 600V 4A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 600V, 4A
-
-
BAS21E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 250V 0.25A
-
BAT64E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3. Schottky Diodes & Rectifiers 40V 0.12A
-
MMBD1201
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Conductance Ultra Fast
İsti hissələr
- MBRB10H50HE3/45
- MBRB16H35-E3/81
- GP10KE-M3/73
- 1N4005-N-0-2-BP
- 1N4003 BK
- IRD3CH31DB6
- SS310HE-TP
- CLL914 BK
- JANTX1N6761UR-1
- GP10-4003E-M3/54
- EGP10F-M3/54
- VS-30WQ06FNTRLPBF
- UH1B-E3/61T
- MBRF7H60HE3/45
- RGP15DHE3/54
- RB420D-TP
- VS-90SQ045TR
- DGP20HE3/54
- 1N5622GP-E3/73
- U1GWJ49(TE12L,F)
- STTH3R04
- 2A02-T
- STTH10R04G
- FFPF04U150STU
- VS-20L15TPBF
- MBR2515L
- MBR845RL
- B280-13
- 60CPF10
- 40EPS08
- MA3X72100L
- MA2J11600L
- DL4001
- IDD15E60BUMA1
- 2A01-TP
- IDW30E60AFKSA1
- RGP02-14E-E3/73
- HS5M M6G
- GL41DHE3/97
- SE15PD-M3/85A
选择你的位置