Infineon Technologies - BSC500N20NS3GATMA1

KEY Part #: K6419484

BSC500N20NS3GATMA1 Qiymətləndirmə (USD) [114454ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.32316
  • 5,000 pcs$0.29653

Hissə nömrəsi:
BSC500N20NS3GATMA1
İstehsalçı:
Infineon Technologies
Ətraflı Təsviri:
MOSFET N-CH 200V 24A TDSON-8.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Tək, Güc Sürücü Modulları, Diodlar - Körpü Düzəldicilər, Transistorlar - FET, MOSFETlər - RF, Transistorlar - IGBTs - Subay, Transistorlar - Proqramlaşdırıla bilən Birlik, Diodlar - Zener - Diziler and Transistorlar - FET, MOSFETlər - Tək ...
Rəqabətli üstünlük:
Infineon Technologies BSC500N20NS3GATMA1 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. BSC500N20NS3GATMA1 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. BSC500N20NS3GATMA1 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSC500N20NS3GATMA1 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : BSC500N20NS3GATMA1
İstehsalçı : Infineon Technologies
Təsvir : MOSFET N-CH 200V 24A TDSON-8
Seriya : OptiMOS™
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : N-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 200V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 24A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 50 mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 60µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 10V
Vgs (Maks) : ±20V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 1580pF @ 100V
FET Feature : -
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 96W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : PG-TDSON-8
Paket / Case : 8-PowerTDFN

Maraqlı ola bilərsiniz