Hissə nömrəsi :
IXTP26P10T
Təsvir :
MOSFET P-CH 100V 26A TO-220
Texnologiya :
MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) :
100V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C :
26A (Tc)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
90 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs :
52nC @ 10V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds :
3820pF @ 25V
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) :
150W (Tc)
Əməliyyat temperaturu :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü :
Through Hole
Təchizatçı cihaz paketi :
TO-220AB