Nexperia USA Inc. - PMFPB8032XP,115

KEY Part #: K6420998

PMFPB8032XP,115 Qiymətləndirmə (USD) [316806ədəd Stok]

  • 1 pcs$0.11675
  • 3,000 pcs$0.10093

Hissə nömrəsi:
PMFPB8032XP,115
İstehsalçı:
Nexperia USA Inc.
Ətraflı Təsviri:
MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6.
Manufacturer's standard lead time:
Anbarda
Raf ömrü:
Bir il
Chip From:
Honq Konq
RoHS:
Ödəniş üsulu:
Göndərmə yolu:
Ailə Kateqoriyalarları:
KEY Componentlər Co, LTD məhsul kateqoriyalarını təklif edən Elektron komponentlər distribyutorudur: Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Seriallar, Qeyri-, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - RF, Transistorlar - FETTlər, MOSFETlər - seriallar, Transistorlar - Bipolyar (BJT) - Ardıcıllıqlar, Tiristorlar - SCRlər, Transistorlar - IGBTs - seriallar, Diodlar - Körpü Düzəldicilər and Güc Sürücü Modulları ...
Rəqabətli üstünlük:
Nexperia USA Inc. PMFPB8032XP,115 elektron komponentlərində ixtisaslaşmışıq. PMFPB8032XP,115 sifarişdən sonra 24 saat ərzində göndərilə bilər. PMFPB8032XP,115 üçün hər hansı bir tələbiniz varsa, buraya kotirovka üçün bir sorğu göndərin və ya bizə bir e-poçt göndərin: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PMFPB8032XP,115 Məhsul keyfiyyətləri

Hissə nömrəsi : PMFPB8032XP,115
İstehsalçı : Nexperia USA Inc.
Təsvir : MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6
Seriya : -
Hissə Vəziyyəti : Active
FET növü : P-Channel
Texnologiya : MOSFET (Metal Oxide)
Mənbə gərginliyinə axın (Vdss) : 20V
Cari - Davamlı Drenaj (İd) @ 25 ° C : 2.7A (Ta)
Sürət gərginliyi (Maks Rds On, Min Rds On) : 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 102 mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Qapı şarjı (Qg) (Max) @ Vgs : 8.6nC @ 4.5V
Vgs (Maks) : ±12V
Giriş qabiliyyəti (Ciss) (Maks) @ Vds : 550pF @ 10V
FET Feature : Schottky Diode (Isolated)
Gücün bölüşdürülməsi (Maks) : 485mW (Ta), 6.25W (Tc)
Əməliyyat temperaturu : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü : Surface Mount
Təchizatçı cihaz paketi : 6-HUSON-EP (2x2)
Paket / Case : 6-UDFN Exposed Pad