Hissə nömrəsi :
2SD1816S-E
İstehsalçı :
ON Semiconductor
Təsvir :
TRANS NPN 100V 4A TP
Cari - Kolleksiyaçı (Ic) (Max) :
4A
Gərginlik - Kolleksiyaçı Emitter Qırılması (Maks) :
100V
Vce Doyma (Maksimum) @ Ib, Ic :
400mV @ 200mA, 2A
Cari - Kolleksiyaçı Kəsimi (Maks) :
1µA (ICBO)
DC cari qazanc (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
70 @ 500mA, 5V
Əməliyyat temperaturu :
150°C (TJ)
Montaj növü :
Through Hole
Paket / Case :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Təchizatçı cihaz paketi :
TP